Post-CMP清洗设备

应用于硅片和碳化硅衬底制造

ag上海的Post-CMP设备用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗,有湿进干出(WIDO)和干进干出(DIDO)两种配置。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅(SiC)衬底制造;8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。

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Post-CMP清洗设备

  

主要优势

在CMP步骤之后,需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洗工艺,以减少颗粒数量。ag上海的Post-CMP清洗设备能够满足这些要求,并提供多种配置,包括ag上海自主研发的 Smart MegasonixTM先进清洗技术。
 


特性和规格(Ultra C WPN(WIDO))

在线预清洗设备:
    可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下
    20-25个剩余颗粒
    金属污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以内
    当配置4个腔体的时候,产能可达每小时35片晶圆

 

离线预清洗设备:
    可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下
    20-25个剩余颗粒
    占地面积小




特性和规格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四个装载端口

占地面积小

可配置四或六个腔体,分别为两个软刷和两个清洗腔体或两个软刷和四个清洗腔体

可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒或28纳米以下20-25个剩余颗粒

最高产能可达每小时60片晶圆