PECVD设备

应用于逻辑和存储芯片制造

ag上海的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备可应用于SiO2, SiNx, Carbon,NDC薄膜沉积工艺, 未来可以扩展至单片式PEALD薄膜沉积工艺进行平台化扩展。

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PECVD设备

  

主要优势

配置了具有自主知识产权的腔体设计和单腔体多加热盘布局

配置了特殊的气体分配装置和卡盘设计

针对薄膜叠层的变换可以提供更好的薄膜均匀性,更优的薄膜应力和更少的颗粒特性

兼顾高产能要求每个腔体都安装有多个加热盘

灵活配置腔体数量兼顾不同产能要求

自主开发的控制软件能够灵活配置满足相应需求

独特设计的真空机械手臂匹配腔体多加热盘晶圆存取规则

工艺温度兼容200C到650C的各种PECVD沉积薄膜要求


特性和规格

可适用于300mm晶圆各种薄膜沉积需求

该设备采用单腔体模块化设计,有两种配置:
    一种是可配置一至三腔体模块,适用于沉积比较薄的薄膜兼顾产能大小
    一种是可配置四至五腔体模块,适用于沉积比较厚的薄膜兼容长臂真空机械手臂